Академику Евгению Павловичу Велихову присвоено звание Героя Труда Российской Федерации.
Евгений Павлович Велихов - академик РАН, физик-теоретик, специалист в физике плазмы, атомной физике, управляемом термоядерном синтезе, магнитной гидродинамике и других областях; профессор кафедры атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники; заведующий кафедрой в период с 1973 по 1988 год.
Пересдача задач атомного практикума будет проходить в дистанционном формате, начиная с 7 февраля. Задачи можно будет получить, начиная с 1 февраля.
Дежурная сдача задач для студентов, не сдавших практикум, будет производиться:
Информация о работе практикума в период ограничений.
UPD. Дистанционные задачи распределены. Перенос и запись на очное выполнение откладывается.
Размещено расписания для выполнения задач, пропущенных из-за карантина, для групп 329, 330, 331.
Размещено расписания для выполнения задач, пропущенных из-за карантина, а также дополнено расписание 303 группы на 30 октября.
Размещено индивидуальное расписание на первый заход и открыт доступ к информационной системе.
Атомный практикум начинает работу с 06 сентября 2021 года (понедельник).
Обновление от 31 августа
Сотрудники кафедры атомной физики в составе международного коллектива авторов впервые предложили новый подход к миниатюризации базовых ячеек цифровой сверхпроводниковой электроники, что открывает путь к увеличению степени интеграции таких цифровых схем и расширению области их применения. Работа поможет улучшить быстродействие квантовых компьютеров и различных низкотемпературных датчиков, используемых в телекоммуникационных системах, радиоастрономии. Исследование опубликовано в журнале Physical Review Applied и выполнено в рамках деятельности НОШ МГУ «Фотонные и квантовые технологии. Цифровая медицина».
Сотрудники кафедры атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники и научно-образовательной школы МГУ «Фотоника» представили «виртуальный датчик» энергетического спектра ионов в плазме высокочастотных емкостных разрядов и показали возможности его использования. Точный контроль параметров, определяемых с помощью датчика, необходим при производстве современных микрочипов, например, при атомно-слоевом травлении материала подзатворного диэлектрика. В перспективе это позволит усовершенствовать технологии создания новых материалов. Результаты исследования опубликованы в журнале Plasma Sources Science and Technology.