Сотрудники кафедры атомной физики, физики плазмы и микроэлектроники и научно-образовательной школы МГУ «Фотоника» представили «виртуальный датчик» энергетического спектра ионов в плазме высокочастотных емкостных разрядов и показали возможности его использования. Точный контроль параметров, определяемых с помощью датчика, необходим при производстве современных микрочипов, например, при атомно-слоевом травлении материала подзатворного диэлектрика. В перспективе это позволит усовершенствовать технологии создания новых материалов. Результаты исследования опубликованы в журнале Plasma Sources Science and Technology.

Группа ученых из Сколковского института науки и технологий (Сколтеха), МГУ, МФТИ и Института нанотехнологий и микроэлектроники РАН предложила новый подход для замещения атомов углерода на атомы азота в кристаллической решетке суперконденсаторов. Исследователи модифицировали решетки углеродных наностенок, используя плазму, что позволило в шесть раз повысить емкость источников энергии. Полученные результаты, опубликованные в Scientific Reports, могут помочь в создании следующего поколения источников энергии для портативной электроники.

Полный текст статьи на Индикатор.Ру

Коллектив российских физиков при участии сотрудников МГУ внедрил атомы азота в углеродные материалы и измерил ёмкость конденсаторов, изготовленных из них. Оказалось, что включение атомов азота в графеновые наноплёнки приводит к увеличению ёмкость конденсаторов в 6 раз. Учёные также предложили способ создания таких материалов. Отечественная технология позволит создавать гибкие тонкопленочные суперемкостные источники энергии. Результаты исследования опубликованы в престижном научном журнале Scientific Reports.

Предлагаем вашему вниманию новую подборку статей сотрудников кафедры и отдела микроэлектроники, опубликованных в высокорейтинговых журналах

Предлагаем вашему вниманию новую подборку статей сотрудников кафедры и отдела микроэлектроники, опубликованных в высокорейтинговых журналах, в том числе в журналах с импакт-фактором больше 10: Nature Communicationи NPG Asia Materials.

Предлагаем вашему вниманию новую подборку статей сотрудников кафедры и отдела микроэлектроники, опубликованных в высокорейтинговых журналах.

Предлагаем вашему вниманию новую подборку статей сотрудников кафедры и отдела микроэлектроники, опубликованных в высокорейтинговых журналах.

За первый месяц 2018 года сотрудниками кафедры и отдела микроэлектроники НИИЯФ были опубликовано несколько статей в высокорейтинговых журналах.

"Russian scientists have created a prototype device for measuring graphene-based electromagnetic radiation"

Полный текст статьи на EurekAlert! (на английском)

Полный текст статьи на Science Newsline Physics & Chemistry (на английском)

«Ученые из Московского университета и других российских вузов создали сверхчувствительные и дешевые датчики электромагнитного излучения на базе необычной формы графена, "нобелевского углерода", говорится в статье, опубликованной в журнале ACS Applied Materials & Interfaces»

Полный текст статьи на портале РИА Новости

«Физики МГУ имени М.В. Ломоносова из Научно-исследовательского института ядерной физики имени Д.В. Скобельцына (НИИЯФ) МГУ изучили углеродные структуры, полученные из оксида графена, и представили прототип болометра — устройства, в основе работы которого лежат эти структуры. Результаты их исследований были опубликованы в журнале ACS Applied Materials & Interfaces»

Полный текст статьи на Индикатор.Ру

Физики МГУ из Научно-исследовательского института ядерной физики имени Д.В. Скобельцына (НИИЯФ) в составе коллектива российских ученых исследовали углеродные структуры, полученные из восстановленного оксида графена, и продемонстрировали прототип болометра, созданного на основе этих структур. Работа была опубликована в высокорейтинговом журнале ACS Applied Materials & Interfaces.

Российские ученые при участии исследователей из МГУ имени М.В.Ломоносова впервые создали гетероэпитаксиальные контакты, которые не образовывали химических связей с диэлектриком — алмазом. С полным текстом исследования можно ознакомиться в журнале Crystal Growth and Design.